SK하이닉스가 HBM4 이상의 버전에서 베이스 다이(로직 다이) 기술을 TSMC 이외의 다른 파운드리 기업에 맡기거나, 자체 생산할 수 있는지에 대해 최근 산업 동향과 기술적 배경을 바탕으로 분석하면 다음과 같습니다.
1. HBM4 베이스 다이 생산 구조의 변화
HBM3E까지: SK하이닉스는 베이스 다이를 자체 공정으로 직접 생산해왔습니다.
HBM4부터: 초미세 공정(3nm, 5nm 등)의 필요성과 고성능·저전력 요구가 커지면서, TSMC와 협력해 베이스 다이를 생산하는 전략으로 전환했습니다.
SK하이닉스는 TSMC의 3nm, 12nm 등 다양한 파운드리 공정을 활용해 맞춤형·범용 베이스 다이를 제작하고 있습니다.
2. TSMC 외 다른 파운드리로의 전환 가능성
기술적 가능성:
베이스 다이 설계는 SK하이닉스가 보유하고 있으므로, 이 설계를 TSMC 외의 다른 파운드리(예: 삼성전자, 인텔 파운드리 등)에 제공해 생산을 맡길 기술적 가능성은 존재합니다.
실제로 삼성전자도 HBM4 베이스 다이 생산에 4nm 공정을 적용할 계획을 밝힌 바 있습니다. 따라서, 향후 고객 요구나 공급망 안정성, 가격 경쟁력, 기술 수준 등에 따라 삼성 파운드리 등으로 생산처를 다변화할 여지는 있습니다.
시장 및 전략적 고려:
현재 TSMC가 3nm 등 초미세 공정에서 업계 최고 수준의 수율과 신뢰성을 갖추고 있어, SK하이닉스가 TSMC를 우선 선택한 것입니다.
다만, 삼성 파운드리의 공정 경쟁력 향상, 공급망 다변화 필요성, 고객사(예: 엔비디아, AMD 등)의 요구에 따라 향후 생산 파트너를 추가하거나 변경할 수 있습니다.
3. 자체 생산(인하우스) 가능성
기술적 한계:
HBM4에서 요구하는 3nm, 5nm급 초미세 로직 공정은 막대한 투자와 노하우, EUV(극자외선) 장비 등 첨단 인프라가 필요합니다.
SK하이닉스는 메모리(DRAM) 공정에는 세계 최고지만, 로직(시스템 반도체) 초미세 공정에서는 TSMC나 삼성전자와 같은 파운드리 기업만큼의 역량과 인프라를 갖추지 못했습니다.
현실적 판단:
당분간은 TSMC(또는 향후 삼성 파운드리 등)와의 협업을 통해 베이스 다이를 조달할 수밖에 없는 구조입니다.
중장기적으로 자체 로직 파운드리 역량을 강화한다면 가능성이 열리지만, 단기간 내 자체 생산 전환은 현실적으로 어렵습니다.
4. 외부 기업에 기술 제공 가능성
설계(IP) 자체를 제3의 파운드리(삼성, 인텔 등)에 제공해 생산을 맡기는 것은 가능합니다.
그러나, SK하이닉스가 베이스 다이 기술을 경쟁 메모리 기업(삼성, 마이크론 등)에 직접 이전하거나 판매할 가능성은 매우 낮습니다.
고객사(엔비디아 등)의 요청, 공급망 다변화, 파운드리 경쟁력 등에 따라 파운드리 파트너를 선택하는 구조가 될 것입니다.
결론
SK하이닉스는 HBM4부터 TSMC의 첨단 파운드리 공정에 의존하고 있지만, 기술적으로는 삼성 파운드리 등 다른 업체로 생산처를 다변화할 여지가 있습니다.
초미세 로직 공정의 자체 생산은 당분간 어렵고, 파운드리 기업과의 협업이 필수적입니다.
베이스 다이 설계(IP)는 SK하이닉스가 보유하고 있으므로, 필요에 따라 다른 파운드리와 협력해 생산할 수 있습니다.
이는 HBM4 이후에도 공급망 다변화와 기술 경쟁력 확보를 위한 전략적 선택지가 될 수 있습니다.
(단, 구체적인 파운드리 전환 시점이나 자체 생산 계획은 공식적으로 발표된 바 없습니다.)
